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• 스핀 주입 자화 반전 메모리, -注入磁化反轉-, Spin Transfer Torque Magnetic RAM, STT-MRAM

  극복하기 위해 자기 터널 접합에 직접 전류를 주입하여 자화 반전을 유도하는 STT 기록 방식을 도입한 강자성체 램. 별도의 외부 도선이 필요 없어 고집적화에 유리하여 30나노(n)급 이하의 초미세 공정이 가능한 차세대 메모리이다. 메모리 용량도 테라비트(Tb)급 메모리로 초대용량의 정보를 저장할 수 있다.